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材料行業研究之 | 高純濺射靶材行業

目前,國内高純濺射靶材生(shēng)産企業已經逐漸突破關鍵技術門檻,擁有了部分(fēn)産品的規模化生(shēng)産能力,整體(tǐ)實力不斷增強,形成了以本公司、有研新材等爲代表的專業從事高純濺射靶材的生(shēng)産商(shāng),正在經曆高速發展時期,上升勢頭較快,打破了濺射靶材核心技術由國外(wài)壟斷、産品供應完全需要進口的不利局面,不斷彌補國内同類産品的技術缺陷,進一(yī)步完善濺射靶材産業發展鏈條,并積極參與國際技術交流和市場競争。

超大(dà)規模集成電(diàn)路制造過程中(zhōng)要反複用到的濺射(Sputtering)工(gōng)藝屬于物(wù)理氣相沉積(PVD)技術的一(yī)種,是制備電(diàn)子薄膜材料的主要技術之一(yī),它利用離(lí)子源産生(shēng)的離(lí)子,在高真空中(zhōng)經過加速聚集,而形成高速度能的離(lí)子束流,轟擊固體(tǐ)表面,離(lí)子和固體(tǐ)表面原子發生(shēng)動能交換,使固體(tǐ)表面的原子離(lí)開(kāi)固體(tǐ)并沉積在基底表面,被轟擊的固體(tǐ)是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱爲濺射靶材。


濺射靶材工(gōng)作原理示意圖如下(xià):

一(yī)般來說,濺射靶材主要由靶坯、背闆等部分(fēn)構成,其中(zhōng),靶坯是高速離(lí)子束流轟擊的目标材料,屬于濺射靶材的核心部分(fēn),在濺射鍍膜過程中(zhōng),靶坯被離(lí)子撞擊後,其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基闆上制成電(diàn)子薄膜;由于高純度金屬強度較低,而濺射靶材需要安裝在專用的機台内完成濺射過程,機台内部爲高電(diàn)壓、高真空環境,因此,超高純金屬的濺射靶坯需要與背闆通過不同的焊接工(gōng)藝進行接合,背闆起到主要起到固定濺射靶材的作用,且需要具備良好的導電(diàn)、導熱性能。 


濺射靶材的種類較多,即使相同材質的濺射靶材也有不同的規格。按照不同的分(fēn)類方法,能夠将濺射靶材分(fēn)爲不同的類别,主要分(fēn)類情況如下(xià):


  • 按形狀分(fēn)類:長靶、方靶、圓靶


  • 按化學成份分(fēn)類: 金屬靶材(純金屬鋁、钛、銅、钽等)、合金靶材(鎳鉻合金、鎳钴合金等)、陶瓷化合物(wù)靶材(氧化物(wù)、矽化物(wù)、碳化物(wù)、硫化物(wù)等)


  • 按應用領域分(fēn)類: 半導體(tǐ)芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽能電(diàn)池靶材、信息存儲靶材、工(gōng)具改性靶材、電(diàn)子器件靶材、其他靶材




在濺射靶材應用領域中(zhōng),半導體(tǐ)芯片對濺射靶材的金屬材料純度、内部微觀結構等方面都設定了極其苛刻的标準,需要掌握生(shēng)産過程中(zhōng)的關鍵技術并經過長期實踐才能制成符合工(gōng)藝要求的産品,因此,半導體(tǐ)芯片對濺射靶材的要求是最高的,價格也最爲昂貴;相較于半導體(tǐ)芯片,平面顯示器、太陽能電(diàn)池對于濺射靶材的純度和技術要求略低一(yī)籌,但随着靶材尺寸的增大(dà),對濺射靶材的焊接結合率、平整度等指标提出了更高的要求。此外(wài),濺射靶材需要安裝在濺射機台内完成濺射過程,濺射機台專用性強,對濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設定了諸多限制。


二、 行業産業鏈



高純濺射靶材行業屬于電(diàn)子材料領域,其産業鏈上下(xià)遊關系如下(xià):


超高純金屬及濺射靶材是電(diàn)子材料的重要組成部分(fēn),濺射靶材産業鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環節,其中(zhōng),靶材制造和濺射鍍膜環節是整個濺射靶材産業鏈中(zhōng)的關鍵環節。


高純濺射靶材産業鏈




高純度乃至超高純度的金屬材料是生(shēng)産高純濺射靶材的基礎,以半導體(tǐ)芯片用濺射靶材爲例,若濺射靶材雜(zá)質含量過高,則形成的薄膜無法達到使用所要求的電(diàn)性能,并且在濺射過程中(zhōng)易在晶圓上形成微粒,導緻電(diàn)路短路或損壞,嚴重影響薄膜的性能。通常情況下(xià),高純金屬提純分(fēn)爲化學提純和物(wù)理提純,爲了獲得更高純度的金屬材料,最大(dà)限度地去(qù)除雜(zá)質,需要将化學提純和物(wù)理提純結合使用。在将金屬提純到相當高的純度後,往往還需配比其他金屬元素才能投入使用,在這個過程中(zhōng),需要經過熔煉、合金化和鑄造等步驟:通過精煉高純金屬,去(qù)除氧氣、氮氣等多餘氣體(tǐ);再加入少量合金元素,使其與高純金屬充分(fēn)結合并均勻分(fēn)布;最後将其鑄造成沒有缺陷的錠材,滿足生(shēng)産加工(gōng)過程中(zhōng)對金屬成份、尺寸大(dà)小(xiǎo)的要求。


濺射靶材制造環節首先需要根據下(xià)遊應用領域的性能需求進行工(gōng)藝設計,然後進行反複的塑性變形、熱處理,需要精确地控制晶粒、晶向等關鍵指标,再經過焊接、機械加工(gōng)、清洗幹燥、真空包裝等工(gōng)序。濺射靶材制造所涉及的工(gōng)序精細且繁多,工(gōng)序流程管理及制造工(gōng)藝水平将直接影響到濺射靶材的質量和良品率。


濺射鍍膜是指物(wù)體(tǐ)被離(lí)子撞擊時,被濺射飛散出,因被濺射飛散的物(wù)體(tǐ)附着于目标基闆上而制成薄膜的過程,濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目标材料。此環節是在濺射靶材産業鏈條中(zhōng)對生(shēng)産設備及技術工(gōng)藝要求最高的環節,濺射薄膜的品質對下(xià)遊産品的質量具有重要影響。在濺射鍍膜過程中(zhōng),濺射靶材需要安裝在機台中(zhōng)完成濺射反應,濺射機台專用性強、精密度高,市場長期被美國、日本跨國集團壟斷,主要設備提供商(shāng)包括AMAT(美國)、ULVAC(日本)、ANELVA(日本)、Varian(美國)、ULVAC(日本)等行業内知(zhī)名企業。


終端應用是針對各類市場需求利用封裝好的元器件制成面向最終用戶的産品,包括汽車(chē)電(diàn)子、智能手機、平闆電(diàn)腦、家用電(diàn)器等終端消費(fèi)電(diàn)子産品。通常情況下(xià),在半導體(tǐ)靶材濺射鍍膜後,需要将鍍膜矽片切割并進行芯片封裝。封裝是指将電(diàn)路用導線連接到外(wài)部接頭處,以便與其他器件連接的工(gōng)序,不僅能夠起到保護芯片的作用,還将芯片與外(wài)界隔離(lí),防止空氣中(zhōng)的雜(zá)質對芯片電(diàn)路造成腐蝕而損害導電(diàn)性能。此外(wài),終端應用也包括制備太陽能電(diàn)池、光學鍍膜、工(gōng)具改性、高檔裝飾用品等,此環節技術面較寬,呈現多樣化特征。


全球範圍内,濺射靶材産業鏈各環節參與企業數量基本呈金字塔型分(fēn)布,高純濺射靶材制造環節技術門檻高、設備投資(zī)大(dà),具有規模化生(shēng)産能力的企業數量相對較少,主要分(fēn)布在美國、日本等國家和地區,其中(zhōng),部分(fēn)企業同時開(kāi)展金屬提純業務,将産業鏈延伸到上遊領域;部分(fēn)企業隻擁有濺射靶材生(shēng)産能力,高純度金屬需要上遊企業供應。濺射靶材最高端的應用是在超大(dà)規模集成電(diàn)路芯片制造領域,這個領域隻有美國和日本的少數公司(日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等)從事相關業務,是一(yī)個被跨國公司壟斷的行業。


作爲濺射靶材客戶端的濺射鍍膜環節具有規模化生(shēng)産能力的企業數量相對較多,但質量參差不齊,美國、歐洲、日本、韓國等知(zhī)名企業居于技術領先地位,品牌知(zhī)名度高、市場影響力大(dà),通常會将産業鏈擴展至下(xià)遊應用領域,利用技術先導優勢和高端品牌迅速占領終端消費(fèi)市場,如IBM、飛利浦、東芝、三星等。


終端應用環節是整個産業鏈中(zhōng)規模最大(dà)的領域,其産品的開(kāi)發與生(shēng)産分(fēn)散在各個行業領域,同時,此環節具有突出的勞動密集性特點,參與企業數量最多,機器設備投資(zī)一(yī)般,主要分(fēn)布在日本、中(zhōng)國台灣和中(zhōng)國大(dà)陸等,并逐漸将生(shēng)産工(gōng)廠向人力成本低的國家和地區轉移。


濺射靶材産業分(fēn)布具有一(yī)定的區域性特征,美國、日本跨國集團産業鏈完整,囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用各個環節,具備規模化生(shēng)産能力,在掌握先進技術以後實施壟斷和封鎖,主導着技術革新和産業發展;韓國、新加坡及中(zhōng)國台灣地區在磁記錄及光學薄膜領域有所特長。另外(wài)由于上述地區芯片及液晶面闆産業發展較早,促使服務分(fēn)工(gōng)明确,可以爲産業鏈下(xià)遊的品牌企業提供如焊接、清洗、包裝等專業代工(gōng)服務,将上遊基礎材料和下(xià)遊終端應用對接,起到承上啓下(xià)的作用,并在一(yī)定程度上推動上遊濺射靶材的産品開(kāi)發和市場擴展。但是上述地區的靶材服務廠商(shāng)缺少核心技術及裝備,不能夠在金屬的提純、組織的控制等核心技術領域形成競争力濺射靶材的材料即靶坯依然依賴美國和日本的進口。超高純金屬材料及濺射靶材在我(wǒ)國還屬于較新的行業,以芯片制造廠商(shāng)、液晶面闆制造企業爲代表的下(xià)遊濺射鍍膜和終端用戶正在加大(dà)力度擴展産能。從全球來看,芯片及液晶面闆行業制造向中(zhōng)國大(dà)陸轉移趨勢愈演愈烈,中(zhōng)國正在迎來這一(yī)領域的投資(zī)高峰。爲此高端濺射靶材的應用市場需求正在快速增長。


三、全球濺射靶材行業發展概況



由于濺射鍍膜工(gōng)藝起源于國外(wài),所需要的濺射靶材産品性能要求高、專業應用性強,因此,長期以來全球濺射靶材研制和生(shēng)産主要集中(zhōng)在美國、日本少數幾家公司,産業集中(zhōng)度相當高。以霍尼韋爾(美國)、日礦金屬(日本)、東曹(日本)等跨國集團爲代表的濺射靶材生(shēng)産商(shāng)較早涉足該領域,經過幾十年的技術積澱,憑借其雄厚的技術力量、精細的生(shēng)産控制和過硬的産品質量居于全球濺射靶材市場的主導地位,占據絕大(dà)部分(fēn)市場份額。這些企業在掌握濺射靶材生(shēng)産的核心技術以後,實施極其嚴格的保密措施,限制技術擴散,同時不斷進行橫向擴張和垂直整合,将業務觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個應用領域,牢牢把握着全球濺射靶材市場的主動權,并引領着全球濺射靶材行業的技術進步。


四、我(wǒ)國濺射靶材行業發展概況



受到發展曆史和技術限制的影響,濺射靶材行業在我(wǒ)國起步較晚,目前仍然屬于一(yī)個較新的行業。與國際知(zhī)名企業生(shēng)産的濺射靶材相比,我(wǒ)國濺射靶材研發生(shēng)産技術還存在一(yī)定差距,市場影響力相對有限,尤其在半導體(tǐ)芯片、平闆顯示器、太陽能電(diàn)池等領域,全球高純濺射靶材市場依然被美國、日本的濺射靶材生(shēng)産廠商(shāng)所控制或壟斷。随着濺射靶材朝着更高純度、更大(dà)尺寸的方向發展,我(wǒ)國濺射靶材生(shēng)産企業隻有不斷進行研發創新,具備較強的産品開(kāi)發能力,研制出适用不同應用領域的濺射靶材産品,才能在全球濺射靶材市場中(zhōng)占得一(yī)席之地。


半導體(tǐ)芯片、平闆顯示器、太陽能電(diàn)池等下(xià)遊工(gōng)業對産品的品質和穩定性等方面有較高的要求,爲了嚴格控制産品質量,下(xià)遊客戶尤其是全球知(zhī)名廠商(shāng)在選擇供應商(shāng)時,供應商(shāng)資(zī)格認證壁壘較高,且認證周期較長。我(wǒ)國高純濺射靶材企業要進入國際市場,首先要通過部分(fēn)國際組織和行業協會爲高純濺射靶材設置的行業性質量管理體(tǐ)系标準,例如,應用于汽車(chē)電(diàn)子的半導體(tǐ)廠商(shāng)普遍要求上遊濺射靶材供應商(shāng)能夠通過ISO/TS16949質量管理體(tǐ)系認證,應用于電(diàn)器設備的濺射靶材生(shēng)産商(shāng)需要滿足歐盟制定的RoHS強制性标準;其次,半導體(tǐ)芯片、平闆顯示器、太陽能電(diàn)池等下(xià)遊知(zhī)名客戶均建立了十分(fēn)完善的客戶認證體(tǐ)系,在高純濺射靶材供應商(shāng)滿足行業性質量管理體(tǐ)系認證的基礎上,下(xià)遊客戶往往還會根據自身的質量管理要求再對供應商(shāng)進行合格供應商(shāng)認證。認證過程主要包括技術評審、産品報價、樣品檢測、小(xiǎo)批量試用、批量生(shēng)産等幾個階段,認證過程相當苛刻,從新産品開(kāi)發到實現大(dà)批量供貨,整個過程一(yī)般需要2-3年時間。爲了降低供應商(shāng)開(kāi)發與維護成本,保證産品質量的持續性,濺射靶材供應商(shāng)在通過下(xià)遊客戶的資(zī)格認證後,下(xià)遊客戶會與濺射靶材供應商(shāng)保持長期穩定的合作關系,不會輕易更換供應商(shāng),并在技術合作、供貨份額等方面向優質供應商(shāng)傾斜。


近年來,受益于國家從戰略高度持續地支持電(diàn)子材料行業的發展及應用推廣,我(wǒ)國國内開(kāi)始出現少量專業從事高純濺射靶材研發和生(shēng)産的企業,并成功開(kāi)發出一(yī)批能适應高端應用領域的濺射靶材,爲高純濺射靶材大(dà)規模産業化提供了良好的研發基礎和市場化條件。通過将濺射靶材研發成果産業化,積極參與濺射靶材的國際化市場競争,我(wǒ)國濺射靶材生(shēng)産企業在技術和市場方面都取得了長足的進步,改變了高純濺射靶材長期依賴進口的不利局面。目前,江豐股份等國内企業已經掌握了高純濺射靶材生(shēng)産的關鍵技術,積累了較爲豐富的産業經驗,擁有了一(yī)定的市場知(zhī)名度,獲得了全球知(zhī)名客戶的認可。


五、濺射靶材市場容量和發展趨勢



濺射技術作爲薄膜材料制備的主流工(gōng)藝,其應用領域廣泛,如集成電(diàn)路、平闆顯示器、太陽能電(diàn)池、信息存儲、工(gōng)具改性、光學鍍膜、電(diàn)子器件、高檔裝飾用品等行業。高純濺射靶材則主要用于對材料純度、穩定性要求更高的領域,如集成電(diàn)路、平闆顯示器、太陽能電(diàn)池、記錄媒體(tǐ)、智能玻璃等行業。


20 世紀90 年代以來,随着消費(fèi)電(diàn)子等終端應用市場的飛速發展,高純濺射靶材的市場規模日益擴大(dà),呈現高速增長的勢頭。據統計,2015年世界高純濺射靶材市場的年銷售額約94.8 億美元。據預測,未來5 年,世界濺射靶材的市場規模将超過160 億美元,高純濺射靶材市場規模年複合增長率可達到13%。

目前高純濺射靶材産品主要應用于半導體(tǐ)産業、平闆顯示器産業以及太陽能電(diàn)池産業,這些領域的市場容量及發展趨勢如下(xià):


(1)半導體(tǐ)産業


高純濺射靶材是伴随着半導體(tǐ)工(gōng)業的發展而興起的,集成電(diàn)路産業成爲目前高純濺射靶材的主要應用領域之一(yī)。随着信息技術的飛速發展,要求集成電(diàn)路的集成度越來越高,電(diàn)路中(zhōng)單元器件尺寸不斷縮小(xiǎo)。每個單元器件内部由襯底、絕緣層、介質層、導體(tǐ)層及保護層等組成,其中(zhōng),介質層、導體(tǐ)層甚至保護層都要用到濺射鍍膜工(gōng)藝,因此濺射靶材是制備集成電(diàn)路的核心材料之一(yī)。集成電(diàn)路領域的鍍膜用靶材主要包括鋁靶、钛靶、銅靶、钽靶、鎢钛靶等,要求靶材純度很高,一(yī)般在5N(99.999%)以上。


受困于2008年爆發的金融危機,全球半導體(tǐ)市場2009年陷入全面衰退中(zhōng),2009年,全球半導體(tǐ)銷售額僅爲2,263.1億美元,同比下(xià)降8.90%。此後,全球半導體(tǐ)市場迅速反彈,2010年全球半導體(tǐ)市場總銷售額約爲2,983.2億美元,較上年同期上漲31.82%。2011-2014年,全球半導體(tǐ)市場保持平穩增長,年均複合增長率爲3.88%,2014年銷售額達到3,358.0億美元。2015年全球半導體(tǐ)行業市場規模與2014年基本持平。根據世界半導體(tǐ)貿易統計組織(WSTS)預測,2016年和2017年全球半導體(tǐ)行業市場規模将繼續保持增長,增長率分(fēn)别爲0.3%和3.1%。總體(tǐ)來看,近年來全球半導體(tǐ)市場仍然處于整體(tǐ)平穩上升階段。


随着智能手機、平闆電(diàn)腦、汽車(chē)電(diàn)子等終端消費(fèi)領域對半導體(tǐ)需求的持續增長,尤其是消費(fèi)電(diàn)子産品與互聯網、移動互聯網的緊密結合,導緻手機、平闆電(diàn)腦、智能電(diàn)視等網絡接入終端産品的應用面持續擴大(dà),從而進一(yī)步提升半導體(tǐ)市場容量,預計全球半導體(tǐ)市場在未來将保持持續增長的态勢。芯片産業是大(dà)數據、雲計算、互聯網的基礎産業。這些産業的迅猛發展爲芯片帶來了強勁的市場需求。由于半導體(tǐ)行業所需濺射靶材品種繁多,且每一(yī)種需求量都較大(dà),穩定的下(xià)遊市場增速将有力地促進濺射靶材銷售規模的擴大(dà)。


根據國際半導體(tǐ)設備與材料協會(SEMI)統計:2015年全球半導體(tǐ)材料銷售額爲435億美元,其中(zhōng)晶圓制造材料銷售額爲242億美元,封裝材料爲193億美元。在晶圓制造材料中(zhōng),濺射靶材約占芯片制造材料市場的2.6%。在封裝測試材料中(zhōng),濺射靶材約占封裝測試材料市場的2.7%。2015年全球半導體(tǐ)用濺射靶材銷售額爲11.4億美元。


随着國内電(diàn)子産品制造業的飛速發展,我(wǒ)國半導體(tǐ)産業市場潛力巨大(dà)。經過多年的引進和大(dà)規模投資(zī),我(wǒ)國現已初步形成了從設計、前工(gōng)序到後封裝的産業輪廓。在全球半導體(tǐ)市場整體(tǐ)增長的帶動下(xià),我(wǒ)國半導體(tǐ)市場步入高速增長軌道。我(wǒ)國半導體(tǐ)市場規模從2006年1,727億元增加到2013年的3,873億元,增幅達124.26%,在此期間内年均複合增長率約爲12.23%。


中(zhōng)國半導體(tǐ)産業的持續發展也爲半導體(tǐ)制造材料市場的發展奠定了良好的基礎。2015年,我(wǒ)國半導體(tǐ)制造材料市場規模達到61.2億美元。集成電(diàn)路用濺射靶材爲半導體(tǐ)制造材料中(zhōng)的一(yī)類,2015年,我(wǒ)國集成電(diàn)路用濺射靶材市場規模爲11.6億元,預計2016年國内半導體(tǐ)用濺射靶材市場規模将突破14億元。


随着國産濺射靶材的技術成熟,尤其是國産濺射靶材具備較高的性價比優勢,并且符合濺射靶材國産化的政策導向,我(wǒ)國濺射靶材的市場規模将進一(yī)步擴大(dà),在全球市場中(zhōng)有望獲得更多客戶的認可,市場份額進一(yī)步提高。


(2)平闆顯示産業(含觸摸屏産業)


平闆顯示器主要包括液晶顯示器(LCD)、等離(lí)子顯示器(PDP)、場緻發光顯示器(EL)、場發射顯示器(FED)等。其中(zhōng),市場應用以液晶顯示器爲主。近年來,液晶顯示器逐漸取代陰極射線管顯示器成爲全球主流的顯示技術,在平面顯示市場中(zhōng)得到了廣泛的應用,主要應用領域包括高清晰電(diàn)視、筆記本電(diàn)腦、台式電(diàn)腦顯示器等電(diàn)子産品。平闆顯示器多由金屬電(diàn)極、透明導電(diàn)極、絕緣層、發光層組成,爲了保證大(dà)面積膜層的均勻性,提高生(shēng)産率和降低成本,濺射技術越來越多地被用來制備這些膜層。平面顯示鍍膜用靶材主要品種有:鉻靶、钼靶、鋁靶、鋁合金靶、銅靶、銅合金靶和摻錫氧化铟(ITO)靶材等。


從全球液晶顯示市場發展趨勢來看,平闆電(diàn)腦成長的主要動力來自于在發達市場的應用增長(包括北(běi)美、日本和西歐),根據DisplaySearch預測,平闆電(diàn)腦在發達市場的出貨量将從2012年的0.8億台增長到2017年的2.54億台。由于液晶顯示用濺射靶材尺寸普遍較大(dà),液晶面闆出貨量平穩較快的增長速度将爲濺射靶材生(shēng)産廠商(shāng)提供更加廣闊的發展空間。


在全球液晶顯示領域,随着日本品牌影響力的下(xià)降,韓國、中(zhōng)國台灣廠商(shāng)的市場地位越來越突出,其中(zhōng),韓國以LG、三星爲代表,LG通過不斷推陳出新,一(yī)段時期以來居于全球液晶面闆出貨量榜首;中(zhōng)國台灣則屬于液晶顯示技術較強和産業化程度較高的地區。我(wǒ)國大(dà)陸作爲液晶面闆最大(dà)的需求地之一(yī),主要從韓國、中(zhōng)國台灣等國家和地區進口,解決好液晶面闆的來源已經涉及到我(wǒ)國的産業安全。


中(zhōng)國大(dà)陸從上世紀80年代開(kāi)始進入液晶顯示領域,并緊密跟随液晶顯示技術的發展。在政府政策導向和産業扶植下(xià),我(wǒ)國大(dà)陸液晶顯示産業快速發展,目前已經成爲全球主要液晶面闆生(shēng)産大(dà)國,并相繼形成了以京東方、深天馬、華星光電(diàn)等爲代表的市場影響力較大(dà)的液晶面闆本土品牌。而傳統的液晶面闆生(shēng)産強國韓國、日本出于降低制造成本等因素的考慮,近年來加大(dà)在我(wǒ)國大(dà)陸投資(zī)設廠的力度,通過産業轉移的方式提升全球市場競争力。因此,近年來國内的平闆顯示産業規模迅速增長,繼日本、韓國以及台灣地區後,成爲平闆顯示行業發展速度最快的地區。


賽迪顧問數據顯示,2015年中(zhōng)國平闆顯示器件産業整體(tǐ)規模達到1,190.6億元,同比增長23.7%。縱觀2015年中(zhōng)國平闆顯示器件産業,雖然産業增長率相比2014年有所下(xià)降,但是随着京東方重慶8.5代線、華星光電(diàn)深圳8.5代線二期和中(zhōng)電(diàn)熊貓南(nán)京8.5代線的相繼建成投産,以及2014年投産的諸多産線陸續度過爬坡期進入量産期,整體(tǐ)産業規模與2014年同期相比依舊(jiù)保持了較快的增長。


2016年,中(zhōng)國平闆顯示産業在一(yī)系列投資(zī)的助推下(xià)發展迅速,TFT-LCD産業投資(zī)進入新高潮,京東方、華星光電(diàn)、和輝光電(diàn)等面闆企業在OLED上的投資(zī)也是非常搶眼。


基于産品價格、采購國産化等因素的考慮,我(wǒ)國液晶面闆廠商(shāng)開(kāi)始有選擇地與本土優秀濺射靶材廠商(shāng)合作,并期望建立長期合作夥伴關系,這爲帶動我(wǒ)國濺射靶材行業的快速發展提供了有利的市場條件。中(zhōng)國電(diàn)子材料行業協會數據顯示,2013年-2015年,全球平闆顯示用濺射靶材市場規模分(fēn)别爲29.5億美元、31.4億美元和33.8億美元。其中(zhōng),我(wǒ)國平闆顯示用濺射靶材2013年度、2014年度、2015年度市場規模分(fēn)别爲39.4億元、55億元和69.3億元。


六、行業競争格局



1)跨國公司競争優勢明顯,處于行業領導地位


高純濺射靶材是伴随着半導體(tǐ)工(gōng)業的發展而興起的,屬于典型的技術密集型産業,産品術含量高,研發生(shēng)産設備專用性強。随着半導體(tǐ)工(gōng)業技術創新的不斷深化,以美國、日本爲代表的半導體(tǐ)廠商(shāng)需要加強對上遊原材料的創新力度,從而最大(dà)限度地保證半導體(tǐ)産品的技術先進性,因此,美國、日本的半導體(tǐ)工(gōng)業相繼催生(shēng)了一(yī)批高純濺射靶材生(shēng)産廠商(shāng),并于當前居于全球市場的主導地位,在一(yī)定程度上,全球半導體(tǐ)工(gōng)業的區域集聚性造就了高純濺射靶材生(shēng)産企業的高度聚集。自誕生(shēng)之日起,以美國、日本爲代表的高純濺射靶材生(shēng)産企業便對核心技術執行嚴格的保密措施,導緻濺射靶材行業在全球範圍内呈現明顯的區域集聚特征,生(shēng)産企業主要集中(zhōng)在美國和日本。


全球範圍内,日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯、住友化學、愛發科等資(zī)金實力雄厚、技術水平領先、産業經驗豐富的跨國公司居于全球高純濺射靶材行業的領導地位,屬于濺射靶材的傳統強勢企業,憑借其強大(dà)的技術研發實力和市場影響力牢牢占據全球濺射靶材市場的絕大(dà)部分(fēn)市場份額,主導着全球濺射靶材産業的發展,推動行業技術的進步。


2)國内專業廠商(shāng)興起,與跨國公司的差距逐步縮小(xiǎo)


國内市場中(zhōng),高純濺射靶材産業起步較晚,主要高純濺射靶材生(shēng)産企業均由國有資(zī)本和少數民營資(zī)本所投資(zī)。受到技術、資(zī)金和人才的限制,國内專業從事高純濺射靶材的生(shēng)産廠商(shāng)數量仍然偏少,企業規模和技術水平參差不齊,多數國内廠商(shāng)還處于企業規模較小(xiǎo)、技術水平偏低、産業布局分(fēn)散的狀态,市場尚處于開(kāi)拓初期,主要集中(zhōng)在低端産品領域進行競争,在半導體(tǐ)芯片、液晶顯示器和太陽能電(diàn)池等市場還無法與國際巨頭全面抗衡,但是依靠産業政策導向、産品價格優勢已經在國内市場占有一(yī)定的市場份額,并逐步在個别産品或領域擠占國際廠商(shāng)的市場空間。


經過數年的科技攻關和産業化應用,目前,國内高純濺射靶材生(shēng)産企業已經逐漸突破關鍵技術門檻,擁有了部分(fēn)産品的規模化生(shēng)産能力,整體(tǐ)實力不斷增強,形成了以本公司、有研新材等爲代表的專業從事高純濺射靶材的生(shēng)産商(shāng),正在經曆高速發展時期,上升勢頭較快,打破了濺射靶材核心技術由國外(wài)壟斷、産品供應完全需要進口的不利局面,不斷彌補國内同類産品的技術缺陷,進一(yī)步完善濺射靶材産業發展鏈條,并積極參與國際技術交流和市場競争。

來源材料十

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